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SI2333DS-E3 PDF预览

SI2333DS-E3

更新时间： 2024-11-21 21:15:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 67K
描述
TRANSISTOR 4100 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI2333DS-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.1配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.1 A
最大漏极电流 (ID)：4.1 A最大漏源导通电阻：0.032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2333DS-E3 数据手册

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Si2333DS  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.032 @ V  
0.042 @ V  
0.059 @ V  
= -4.5 V  
= -2.5 V  
= -1.8 V  
-5.3  
- 4.6  
- 3.9  
GS  
GS  
GS  
D Load Switch  
D PA Switch  
-12  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2333DS (E3)*  
*Marking Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 sec  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-12  
DS  
GS  
V
V
ꢀ
8
T
= 25_C  
= 70_C  
-4.1  
-3.3  
- 5.3  
-4.2  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
-20  
DM  
a, b  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-1.0  
1.25  
0.8  
-0.6  
0.75  
0.48  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a, b  
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t
ꢁ
5 sec  
75  
120  
40  
100  
166  
50  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
Steady State  
Steady State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 72023  
S-22121—Rev. B, 25-Nov-02  
www.vishay.com  
1
123456

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与SI2333DS-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2333DS-T1-E3 VISHAY

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 		Halogen-free According to IEC 61249-2-21
SI2333DS-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 4100 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND
SI2333-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
SI2333-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
SI2335DS TI

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 		High-Vin, High-Efficiency Power Solution Using DC/DC Converter With DVFS
SI2335DS VISHAY

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 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2335DS (KI2335DS) KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
SI2335DS-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 3200 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN, FE
SI2336DS VISHAY

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 		N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY

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 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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