是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 1.7 |
Samacsys Confidence: | 3 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 265756 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category: | SOT23 (3-Pin) |
Samacsys Footprint Name: | SOT-23 (TO-236) | Samacsys Released Date: | 2018-01-12 13:13:27 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.0012 A | 最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -50 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI2337DS-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2337DS-T1-GE3 | VISHAY |
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SI2338DS | VISHAY |
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SI2341DS | VISHAY |
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SI2341DS (KI2341DS) | KEXIN |
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SI2341DS-T1 | VISHAY |
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SI2341DS-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SI2341DS-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
SI2342DS | VISHAY |
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N-Channel 8 V (D-S) MOSFET | |
SI2342DS-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 6 A, 8 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLI | |
SI2343CDS | VISHAY |
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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |