SI2343DS

更新时间： 2024-09-16 21:54:23

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描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2343DS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI2343DS 数据手册

Si2343DS

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.053 @ V

= -10 V

= -4.5 V

-4.0

-3.1

D Load Switch

D PA Switch

-30

0.086@ V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2343DS (F3)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

ꢀ

= 25_C

= 70_C

-3.1

-2.5

- 4.0

-3.2

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-15

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.0

1.25

0.8

-0.6

0.75

0.48

= 25_C

= 70_C

a, b

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

ꢁ

5 sec

120

100

166

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Steady State

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature.

Document Number: 72079

s-22199—Rev. A, 25-Nov-02

www.vishay.com

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