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SI2337DS (KI2337DS)

更新时间： 2024-09-18 18:09:43

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P-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2337DS (KI2337DS)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

■ Features

+0.1

-0.1

0.4

● VDS (V) =-80V

● ID =-2.2A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 270mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 303mΩ (VGS =-6V)

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Gate

2.Source

3.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-80

VDS

Gate-Source Voltage

±20

-2.2

-1.2

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Continuous Drain Current

-1.75

-0.96

Pulsed Drain Current

-7

Avalanche Current

L=0.1mH

Single-Pulse Avalanche Energy

2.5

1.6

0.76

0.48

Ta = 25℃

Ta = 70℃

t≤10 sec

Power Dissipation

166

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Foot

Junction Temperature

thJA

thJF

℃/W

steady State

150

-55 to 150

260

Storage Temperature Range

Tstg

℃

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

www.kexin.com.cn

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