是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 0.73 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.032 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI2333DS-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
Halogen-free According to IEC 61249-2-21 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2333-TP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
SI2333-TP-HF | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
SI2335DS | TI |
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High-Vin, High-Efficiency Power Solution Using DC/DC Converter With DVFS | |
SI2335DS | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI2335DS (KI2335DS) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
SI2335DS-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3200 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN, FE | |
SI2336DS | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI2336DS-T1-GE3 | VISHAY |
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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI2337DS | VISHAY |
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P-Channel 80-V (D-S) MOSFET | |
SI2337DS (KI2337DS) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |