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SI2329DS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 19:28:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 233K
描述
P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI2329DS-T1-GE3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.53配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2329DS-T1-GE3 数据手册

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Si2329DS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
- 6e  
0.030 at VGS = - 4.5 V  
0.036 at VGS = - 2.5 V  
0.048 at VGS = - 1.8 V  
0.068 at VGS = - 1.5 V  
0.120 at VGS = - 1.2 V  
•
•
- 6e  
- 5.9  
- 5  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 8  
11.8 nC  
APPLICATIONS  
•
Load Switch  
- 3.7  
•
Low Voltage Gate Drive  
- Low On-Resistance  
TO-236  
(SOT-23)  
•
Battery Management in Portable Equipment  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2329DS (D9)*  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2329DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 8  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
5
- 6e  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
- 6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 5.3b, c  
- 4.2b, c  
- 20  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
- 2.1  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 1.0b, c  
2.5  
TA = 25 °C  
C = 25 °C  
T
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
1.6  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.25b, c  
0.8b, c  
- 55 to 150  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
75  
Maximum  
Unit  
5 s  
Steady State  
100  
50  
°C/W  
RthJF  
40  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 166 °C/W.  
e. Package limited.  
Document Number: 67690  
S11-0865-Rev. A, 02-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2331DS VISHAY

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 		P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2331DS-T1 VISHAY

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 		Transistor
SI2331DS-T1-GE3 VISHAY

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 		3200mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIAN
SI2333 MCC

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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2333A MCC

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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
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SI2333CDS UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-12V;持续漏极电流（Id）（在25°C
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