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SI2333DDS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
10页 231K
描述
P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

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SI2333DDS-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.56配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2333DDS-T1-GE3 数据手册

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Si2333DDS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 12 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
I
D (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) () Max.  
Qg (Typ.)  
0.028 at VGS = - 4.5 V  
0.032 at VGS = - 3.7 V  
0.040 at VGS = - 2.5 V  
0.063 at VGS = - 1.8 V  
0.150 at VGS = - 1.5 V  
- 6e  
- 6e  
- 6e  
Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
- 12  
9 nC  
- 4.5  
- 3.6  
APPLICATIONS  
•
Smart Phones and Tablet PCs  
- Load Switch  
- Battery Switch  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2333DDS (O4)*  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2333DDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
8
- 6e  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 5.2  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 5b, c  
- 4b, c  
- 20  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 1.4  
- 0.63b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
C = 25 °C  
1.7  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.1  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.20b, c  
0.6b, c  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
°C  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
100  
Maximum  
Unit  
5 s  
Steady State  
130  
75  
°C/W  
60  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 175 °C/W.  
e. Package limited.  
Document Number: 63861  
S12-0801-Rev. A, 16-Apr-12  
www.vishay.com  
1
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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SI2333DDS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY

类似代替

 TRANSISTOR 3000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, T
SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2333DS-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Halogen-free According to IEC 61249-2-21

与SI2333DDS-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2333DS VISHAY

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 		P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2333DS (KI2333DS) KEXIN

获取价格

 		P-Channel MOSFET
SI2333DS-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4100 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET
SI2333DS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Halogen-free According to IEC 61249-2-21
SI2333DS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4100 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND
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