是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.72 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 184103 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | Integrated Circuit |
Samacsys Package Category: | SOT23 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name: | SOT-23 (TO-236) |
Samacsys Released Date: | 2015-04-13 16:59:01 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.53 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.53 A |
最大漏源导通电阻: | 1.3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI2325DS-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2325DS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SI2326DS | VISHAY |
获取价格 |
Transistor | |
SI2327DS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 200-V (D-S) MOSFET | |
SI2327DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 200-V (D-S) MOSFET | |
SI2328 | HC |
获取价格 |
SOT-23-3 | |
SI2328A | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
SI2328DS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI2328DS (KI2328DS) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
SI2328DS_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | |
SI2328DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |