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SI2325DS-T1-E3

更新时间: 2024-11-18 06:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET

SI2325DS-T1-E3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:1.72Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:184103
Samacsys Pin Count:3Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name:SOT-23 (TO-236)
Samacsys Released Date:2015-04-13 16:59:01Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.53 A最大漏极电流 (ID):0.53 A
最大漏源导通电阻:1.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SI2325DS-T1-E3 数据手册

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Si2325DS  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D Ultra Low On-Resistance  
D Small Size  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Qg (Typ)  
1.2 @ V = 10 V  
0.69  
0.66  
GS  
150  
7.7  
1.3 @ V = 6.0 V  
GS  
D Active Clamp Circuits in DC/DC Power  
Supplies  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Ordering Information: Si2325DS -T1—E3  
Top View  
Si2325DS (D5)*  
*Marking Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 sec  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
150  
DS  
GS  
V
V
2
0
T
= 25_C  
= 70_C  
0.53  
0.43  
0.69  
0.55  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
1.6  
a, b  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Single-Pluse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
I
1.0  
0.6  
S
I
AS  
4.5  
L = 1.0 mH  
E
1.01  
mJ  
AS  
T
= 25_C  
= 70_C  
1.25  
0.8  
0.75  
0.48  
A
a, b  
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t
5 sec  
75  
120  
40  
100  
166  
50  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
Steady State  
Steady State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 73238  
S-42449—Rev. A, 10-Jan-05  
www.vishay.com  
1

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