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SI2326DS

更新时间： 2024-11-18 19:56:43

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威世 - VISHAY		/
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5页	43K
描述
Transistor

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SI2326DS 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	Base Number Matches：	1

SI2326DS 数据手册

Si2326DS

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

100

0.250 @ V = 10 V

1.5

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2326DS (D6)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

"20

T = 25_C

1.5

1.2

1.15

0.92

Continuous Drain Current (T = 150__C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

1.8

0.6

Continuous Source Current (Diode Conduction)

T = 25_C

1.25

0.80

0.73

0.47

Power Dissipation

T = 70_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

130

100

170

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature

Document Number: 71289

S-2381—Rev. A, 23-Oct-00

www.vishay.com

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