是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.89 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.2 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.89 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2331DS-T1-GE3 | VISHAY |
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3200mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIAN | |
SI2333 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
SI2333A | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
SI2333CDS | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI2333CDS | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-12V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
SI2333CDS (KI2333CDS) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
SI2333CDS-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI2333CDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI2333DDS | VISHAY |
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P-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SI2333DDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 12 V (D-S) MOSFET |