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SI2331DS-T1

更新时间： 2024-11-18 20:03:43

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	96K
描述
Transistor

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SI2331DS-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.89 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI2331DS-T1 数据手册

Si2331DS

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFETS

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 3.6

- 3.2

- 2.7

Pb-free

0.048 at V_GS= - 4.5 V

0.062 at V_GS= - 2.5 V

0.090 at V_GS= - 1.8 V

Available

APPLICATIONS

- 12

RoHS*

•

Load Switch

COMPLIANT

•

PA Switch

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2331DS *(E1)

*Marking Code

Ordering Information: Si2331DS-T1

Si2331DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 12

V_GS

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

- 3.6

- 2.9

- 3.2

- 2.6

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

Pulsed Drain Current^a

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

I_DM

I_S

- 12

- 0.74

0.89

- 0.59

0.71

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Power Dissipation^a

P_D

0.57

0.45

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

115

Maximum

140

Unit

t ≤ 5 sec

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

140

175

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t ≤ 5 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 72152

S-61224-Rev. B, 17-Jul-06

www.vishay.com

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与SI2331DS-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2331DS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	3200mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIAN
SI2333	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2333A	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2333CDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2333CDS	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-12V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI2333CDS (KI2333CDS)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
SI2333CDS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2333CDS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2333DDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 12 V (D-S) MOSFET
SI2333DDS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 12 V (D-S) MOSFET