是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.82 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (ID): | 3.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.048 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2333 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
SI2333A | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
SI2333CDS | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI2333CDS | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-12V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
SI2333CDS (KI2333CDS) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
SI2333CDS-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI2333CDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET | |
SI2333DDS | VISHAY |
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P-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SI2333DDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SI2333DS | VISHAY |
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P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |