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SI2324DS (KI2324DS)

更新时间： 2024-11-19 18:10:07

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科信 - KEXIN		/
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N-Channel MOSFET

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SMMDD Tyyppee

MOSFET IC

N-Channel Enhancement MOSFET

SI2324DS (KI2324DS)

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● VDSS = 100V

● ID = 2.3 A (VGS = 10V)

● RDS(ON) ＜ 234mΩ (VGS = 10V)

● RDS(ON) ＜ 267mΩ (VGS = 6V)

● RDS(ON) ＜ 278mΩ (VGS = 4.5V)

+0.02

-0.02

+0.1

0.15

0.95

-0.1

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

100

Unit

Gate-Source Voltage

±20

2.3

TA=25℃

TA=70℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

TJ =150℃ *1

1.8

IDM

2.5

TA=25℃

TA=70℃

1.6

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

thJA

thJC

100

℃/W

150

-55 to 150

℃

Storage Temperature Range

stg

*1 Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

www .kexin.com.cn

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