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SI2324A

更新时间: 2024-11-19 14:55:51
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美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
6页 1136K
描述
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;

SI2324A 数据手册

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SI2324A  
Features  
Trench MV MOSFET  
Low RDS(ON)  
Moisture Sensitivity Level 1  
Halogen Free. “Green” Device (Note 1)  
Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating  
• Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS  
Compliant. See Ordering Information)  
N-Channel MOSFET  
Maximum Ratings  
• Operating Junction Temperature Range: -55°C to +150°C  
• Storage Temperature Range: -55°C to +150°C  
• Thermal Resistance: 105°C/W Junction to Ambient(Note2)  
SOT-23  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Rating  
100  
±20  
2
Symbol  
VDS  
Unit  
V
A
D
3
1
Gate-Source Volltage  
VGS  
V
B
C
TA=25°C  
2
ID  
Continuous Drain Current  
A
F
E
TA=100°C  
1.3  
8
Pulsed Drain Current (Note3)  
IDM  
PD  
A
H
G
J
Total Power Dissipation (Note4)  
W
1.2  
L
K
1RWHꢀ  
DIMENSIONS  
MM  
ꢁꢂ +DORJHQꢃIUHHꢃꢄ*UHHQ´ꢃSURGXFWVꢃDUHꢃGHILQHGꢃDVꢃWKRVHꢃZKLFKꢃFRQWDLQꢃꢅꢆꢇꢇSSPꢃEURPLQHꢈ  
INCHES  
ꢅꢆꢇꢇSSPꢃFKORULQHꢃꢉꢅꢁꢊꢇꢇSSPꢃWRWDOꢃ%Uꢃꢋꢃ&OꢌꢃDQGꢃꢅꢁꢇꢇꢇSSPꢃDQWLPRQ\ꢃFRPSRXQGVꢂ  
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&RSSHUꢈꢃLQꢃDꢃVWLOOꢃDLUꢃHQYLURQPHQWꢃZLWKꢃ7$ꢃ ꢍꢊƒ&ꢂꢃ  
DIM  
NOTE  
MIN MAX MIN MAX  
0.110 0.120 2.80 3.04  
0.083 0.104 2.10 2.64  
0.047 0.055 1.20 1.40  
0.034 0.041 0.85 1.05  
0.067 0.083 1.70 2.10  
0.018 0.024 0.45 0.60  
A
B
C
D
E
F
ꢐꢂ 5HSHWLWLYHꢃUDWLQJꢑꢃSXOVHꢃZLGWKꢃOLPLWHGꢃE\ꢃPD[ꢂꢃMXQFWLRQꢃWHPSHUDWXUHꢂ  
ꢏꢂ 3'ꢃLVꢃEDVHGꢃRQꢃPD[ꢂꢃMXQFWLRQꢃWHPSHUDWXUHꢈꢃXVLQJꢃMXQFWLRQꢎambientꢃWKHUPDOꢃUHVLVWDQFHꢂ  
G
H
J
K
L
0.01 0.15  
0.0004 0.006  
0.035 0.043 0.90 1.10  
0.003 0.007 0.08 0.18  
0.012 0.020 0.30 0.51  
0.020  
0.50  
0.007  
0.20  
Internal Structure and Marking Code  
Suggested Solder Pad Layout  
D
0.031  
0.800  
D
1. *$7E  
2. 6285&(  
0.035  
0.900  
3. '5$,1  
1002.  
G
0.079  
2.000  
inches  
mm  
G
S
S
0.037  
0.950  
0.037  
0.950  
Rev.4-1-09252023  
1/6  
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