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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2323DS-T1-GE3
SI2323DS-T1-GE3 PDF预览

SI2323DS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-18 12:27:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 197K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI2323DS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.83配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：0.039 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2323DS-T1-GE3 数据手册

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Si2323DS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 4.7  
- 4.1  
- 3.5  
Available  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.039 at VGS = - 4.5 V  
0.052 at VGS = - 2.5 V  
0.068 at VGS = - 1.8 V  
- 20  
APPLICATIONS  
•
Load Switch  
•
PA Switch  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2323DS (D3)*  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2323DS-T1  
Si2323DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2323DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 4.7  
- 3.8  
- 3.7  
- 2.9  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 20  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
- 1.0  
1.25  
0.8  
- 0.6  
0.75  
0.48  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
75  
Maximum  
100  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
120  
40  
166  
°C/W  
RthJF  
50  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72024  
S09-0133-Rev. D, 02-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI2323DS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI2323DS-T1-E3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
DMG3415U-7 DIODES

功能相似

 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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