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SI2325DS (KI2325DS)

更新时间： 2024-10-15 18:10:03

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科信 - KEXIN		/
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P-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2325DS (KI2325DS)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

■ Features

+0.1

-0.1

0.4

● VDS (V) =-150V

● ID =-0.69A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 1.2Ω (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 1.3Ω (VGS =-6V)

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Gate

2.Source

3.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-150

VDS

±20

Gate-Source Voltage

-0.69

-0.55

-0.53

-0.43

Continuous Drain Current

Ta = 25℃

Ta = 70℃

-1.6

4.5

Pulsed Drain Current

Single-Pluse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy

Power Dissipation

L=1.0mH

Ta = 25℃

Ta = 70℃

1.01

1.25

0.8

0.75

0.48

100

166

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t≤5 sec

Steady State

thJA

thJF

℃/W

Thermal Resistance.Junction- to-Foot

Junction Temperature

150

℃

-55 to 150

Storage Temperature Range

Tstg

www.kexin.com.cn

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