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SI2321DS (KI2321DS)

更新时间： 2024-10-15 18:09:59

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P-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

SI2321DS (KI2321DS)

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

■ Features

+0.1

-0.1

0.4

● VDS (V) =-20V

● ID =-3.3A (VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜ 57mΩ (VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜ 76mΩ (VGS =-2.5V)

● RDS(ON) ＜ 110mΩ (VGS =-1.8V)

+0.1

+0.05

-0.01

0.95

-0.1

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Gate

2.Source

3.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-20

VDS

±8

Gate-Source Voltage

-3.3

-2.6

-2.9

-2.3

Continuous Drain Current

Ta = 25℃

Ta = 70℃

-12

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

IDM

0.89

0.57

0.71

0.45

Ta = 25℃

Ta = 70℃

140

175

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t≤5 sec

Steady State

thJA

thJF

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Foot

Junction Temperature

150

-55 to 150

Storage Temperature Range

Tstg

www.kexin.com.cn

12 3 4 5

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