SI2319DS-T1

更新时间： 2024-09-14 22:25:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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5页	55K
描述
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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SI2319DS-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI2319DS-T1 数据手册

Si2319DS

Vishay Siliconix

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^b

0.082 @ V = −10 V

−3.0

−2.4

D Load Switch

−40

0.130 @ V = −4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Ordering Information: Si2319DS-T1

Si2319DS-T1—E3 (Lead Free)

Top View

Si2319DS (C9)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−40

"20

T = 25_C

−3.0

−2.4

−2.3

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

−1.85

Pulsed Drain Current

−12

Continuous Source Current (Diode Conduction)

−1.0

1.25

0.8

−0.62

0.75

T = 25_C

Power Dissipation

T = 70_C

0.48

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

120

100

166

thJA

Maximum Junction-to-Ambient

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Pulse width limited by maximum junction temperature.

b. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

c. Surface Mounted on FR4 Board.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 72315

S-40844—Rev. B, 03-May-04

www.vishay.com

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