SI2320DS

更新时间： 2024-11-19 22:43:15

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	53K
描述
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

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SI2320DS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.22 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI2320DS 数据手册

_C/W

Si2320DS

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

200

7 @ V = 10 V

"0.28

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2320DS (D0)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"200

"20

T = 25_C

"0.28

"0.22

"0.17

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

"0.5

0.013

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

Continuous Source Current (Diode Conduction)

T = 25_C

1.25

0.80

0.75

0.48

Power Dissipation

T = 70_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

120

100

166

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature

Document Number: 71084

S-63640—Rev. A, 01-Nov -98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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