是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.9 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.89 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2321DS-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI2321DS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI2321-TP | MCC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI2323 | HC |
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SOT-23 | |
SI2323CDS | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SI2323CDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
Si2323DDS | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI2323DDS-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI2323DS | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
Si2323DS | TI |
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Triple-Supply Power Management IC for Powering FPGAs and DSPs |