是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.68 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 2.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.057 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2323 | HC |
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SOT-23 | |
SI2323CDS | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SI2323CDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
Si2323DDS | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI2323DDS-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI2323DS | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
Si2323DS | TI |
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Triple-Supply Power Management IC for Powering FPGAs and DSPs | |
SI2323DS | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
SI2323DS (KI2323DS) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
SI2323DS_08 | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |