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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.61 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 258185 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) |
| Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name： | SOT-23 (TO-236) |
| Samacsys Released Date： | 2016-07-18 08:10:33 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| Si2319DDS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
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| SI2319DS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI2319DS (KI2319DS) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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| SI2319DS-T1 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI2320DS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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| SI2321 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2321 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2321 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2321DS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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