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SI2319A

更新时间： 2024-11-21 17:15:55

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	866K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:70mΩ@-10V

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SI2319A 数据手册

UMW

UMW SI2319

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Features

VDS (V) = -40V

SOT–23

RDS(ON)

70m (VGS = 10V) ，ID = -4.4A

95m (VGS = 4.5V) ，ID = -3.5A

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Equivalent Circuit

Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

VGS

Value

-40

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current

-4.4

Pu lsed Di od e C urren

IDM

-12

Continuous Source-Drain Current(Diode Conduction)

Power Dissipation

-1. 25

1.25

℃ /W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t?5s)

Operating Junction

166

RthJF

150

Storage Temperature

TSTG

-55 ~+15 0

℃

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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