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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2318DS-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替  |
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2318DS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23 |
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| SI2319 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2319 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2319 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2319A | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-40V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| SI2319CDS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
|
| SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
|
| Si2319DDS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
|
| SI2319DS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2319DS (KI2319DS) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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