是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.88 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI2318DS-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACK | |
SI2318DS-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23 | |
SI2319 | MCC |
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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
SI2319 | HC |
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SOT-23 | |
SI2319 | HOTTECH |
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SOT-23 | |
SI2319A | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-40V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
SI2319CDS | VISHAY |
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P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | |
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | |
Si2319DDS | VISHAY |
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P-Channel 40 V (D-S) MOSFET | |
SI2319DS | VISHAY |
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P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |