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SI2316DS

更新时间： 2024-11-16 22:43:15

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威世 - VISHAY		/
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4页	47K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2316DS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.12
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.96 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI2316DS 数据手册

Si2316DS

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.050 @ V = 10 V

3.4

2.6

D Battery Switch

0.085 @ V = 4.5 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2316DS (C6)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

T = 25_C

3.4

2.7

2.9

2.3

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

0.8

T = 25_C

0.96

0.6

0.7

a, b

Power Dissipation

T = 70_C

0.45

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

100

140

130

175

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature

Document Number: 71798

S-05481—Rev. A, 21-Jan-02

www.vishay.com

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与SI2316DS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2316DS-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET
SI2316DS-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI2316DS-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACK
SI2316DS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND RO
SI2317	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2317A	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI2318	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2318A	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2318A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
SI2318A-TP	MCC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,