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SI2318A

更新时间： 2024-09-14 17:15:47

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	2003K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.6A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:36mΩ@10V

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SI2318A 数据手册

UMW

UMW SI2318A

40V N-Channel MOSFET

■ Features

SOT–23

● V^{DS (V)}= 40V

● ID = 5.6 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)

＜

mΩ (VGS = 10V)

mΩ (VGS = 4.5V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Equivalent Circuit

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

VDS

Gate-Source Voltage

±20

5.6

Tc=25℃

4.5

Tc=70℃

Ta=25℃

Ta=70℃

Continuous Drain Current

4.3

3.5

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

2.1

Tc=25℃

Tc=70℃

Ta=25℃

Ta=70℃

1.3

1.25

0.8

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Foot

Junction Temperature

thJA

thJF

100

℃/W

150

-55 to 150

℃

Storage Temperature Range

stg

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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