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SI2317A

更新时间: 2024-10-31 17:15:51
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友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
5页 392K
描述
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-20V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):-4A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:40mΩ@-4.5V

SI2317A 数据手册

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R
UMW SI2317A  
P-Channel MOSFET  
UMW  
Features  
SOT23  
VDS (V) = -20V  
RDS(ON)40mΩ(VGS=-4.5V),ID=-4.2A  
RDS(ON)50mΩ(VGS=-2.5V),ID=-3.4A  
1. GATE  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
D
S
G
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
VDS  
VGS  
-20  
Gate-source voltage  
V
±12  
-4.2  
-3.4  
Continuous drain current  
--  
TA=25℃  
TA=70℃  
ID  
A
A
Pulsed drain current  
IDM  
PD  
-10  
1.38  
0.8  
Power dissipation  
--  
TA=25℃  
TA=70℃  
W
Thermal Resistance.Junction-to-Ambient  
RθJA  
90  
/W  
Operating junction and storage temperature range  
Tj,Tstg  
-55 to +150  
www.umw-ic.com  
1
友台半导体有限公司  

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