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SI2316DS-T1

更新时间： 2024-01-19 18:16:21

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	205K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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SI2316DS-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.9 A	最大漏极电流 (ID)：	2.9 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.96 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI2316DS-T1 数据手册

Si2316DS

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free Option Available

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

3.4

• TrenchFET^®Power MOSFET

Pb-free

0.050 at V_GS= 10 V

0.085 at V_GS= 4.5 V

Available

2.6

RoHS*

APPLICATIONS

COMPLIANT

•

Battery Switch

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2316DS (C6)*

* Marking Code

Ordering Information: Si2316DS-T1

Si2316DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si2316DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.4

2.7

2.9

2.3

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

Pulsed Drain Current^b

Continuous Source Current (Diode Conduction)^{a, b}

I_DM

I_S

0.8

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

0.96

0.6

0.7

Power Dissipation^{a, b}

P_D

0.45

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

100

Maximum

130

Unit

t ≤ 5 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

140

175

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 71798

S-80642-Rev. C, 24-Mar-08

www.vishay.com

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与SI2316DS-T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SI2316DS-T1-E3	VISHAY	TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACK	获取价格
SI2316DS-T1-GE3	VISHAY	TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND RO	获取价格
SI2318A	MCC	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;	获取价格
SI2318A-TP	MCC	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
SI2318A-TP-HF	MCC	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
SI2318CDS	VISHAY	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET	获取价格