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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.83 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.66 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SI2316BDS-T1-GE3 | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI2316DS | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI2316DS-E3 | VISHAY | TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET |
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| SI2316DS-T1 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI2316DS-T1-E3 | VISHAY | TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACK |
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| SI2316DS-T1-GE3 | VISHAY | TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND RO |
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