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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2316BDS-T1-E3
SI2316BDS-T1-E3 PDF预览

SI2316BDS-T1-E3

更新时间： 2024-11-17 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 108K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2316BDS-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.83Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：3.9 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.66 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI2316BDS-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si2316BDS  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
®
ID (A)a  
4.5  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
Qg (Typ)  
•
•
PWM Optimized  
0.050 at VGS = 10 V  
0.080 at VGS = 4.5 V  
100 % R tested  
g
RoHS  
3.16 nC  
30  
COMPLIANT  
3.4  
APPLICATIONS  
•
Battery Switch  
•
DC/DC Converter  
TO-236  
(SOT-23)  
G
1
2
3
D
S
Top View  
Si2316DS (M6)*  
*Marking Code  
Ordering Information: Si2316BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Unit  
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
V
20  
T
C = 25 °C  
4.5  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.6  
3.9b, c  
3.13b, c  
20  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
1.39  
1.04b, c  
1.66  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
C = 70 °C  
1.06  
PD  
W
Maximum Power Dissipation  
1.25b, c  
0.8b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
80  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
≤ 5 sec  
Steady State  
100  
75  
°C/W  
RthJF  
60  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
c. t = 5 sec.  
d. Maximum under Steady State conditions is 130 °C/W.  
Document Number: 70445  
S-71330-Rev. A, 02-Jul-07  
www.vishay.com  
1
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与SI2316BDS-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2316BDS-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316DS VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316DS-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET
SI2316DS-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI2316DS-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACK
SI2316DS-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND RO
SI2317 HOTTECH

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 		SOT-23
SI2317A UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI2318 HOTTECH

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 		SOT-23
SI2318A MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;

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