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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2316BDS-T1-E3
SI2316BDS-T1-E3 PDF预览

SI2316BDS-T1-E3

更新时间： 2024-01-24 20:39:01
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 108K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2316BDS-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.83Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：3.9 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.66 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI2316BDS-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si2316BDS  
Vishay Siliconix  
MOSFET SPECIFICATIONS T = 25 °C, unless otherwise noted  
J
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
VDS  
VDS = 0 V, ID = 250 µA  
Drain-Source Breakdown Voltage  
30  
V
V
DS Temperature Coefficient  
ΔVDS/TJ  
23.92  
5.2  
mV/°C  
ID = 250 µA  
VGS(th) Temperature Coefficient  
Δ
V
/T  
GS(th) J  
VGS(th)  
IGSS  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
Gate-Source Threshold Voltage  
Gate-Source Leakage  
1
3
V
VDS = 0 V, VGS  
=
20 V  
100  
1
nA  
VDS = 30 V, VGS = 0 V  
DS = 30 V, VGS = 0 V, TJ = 55 °C  
VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V  
IDSS  
ID(on)  
rDS(on)  
gfs  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Currenta  
µA  
A
V
10  
20  
VGS = 10 V, ID = 3.9 A  
0.041  
0.064  
6
0.050  
0.080  
Drain-Source On-State Resistancea  
Forward Transconductancea  
Ω
S
V
GS = 4.5 V, ID = 3.3 A  
VDS = 15V, ID = 3.9 A  
Dynamicb  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
350  
65  
VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz  
pF  
37  
V
DS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 3.9 A  
VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 3.9 A  
f = 1 MHz  
6.35  
3.16  
1.56  
1.1  
2.6  
4.5  
11  
9.6  
4.8  
Qg  
Total Gate Charge  
nC  
Ω
Qgs  
Qgd  
Rg  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Gate Resistance  
3.9  
6.75  
16.5  
18  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
V
DD = 15 V, RL = 4.8 Ω  
ns  
ID ≅ 3.13 A, VGEN = 10 V, RG = 1 Ω  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
12  
7
10.5  
30  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
20  
65  
98  
V
DD = 15 V, RL = 6.25 Ω  
ns  
A
ID = 2.4 A, VGEN = 4.5 V, RG = 1 Ω  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
11  
17  
23  
35  
Drain-Source Body Diode Characteristics  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IS  
ISM  
VSD  
trr  
TC = 25 °C  
IS = 2.0 A  
1.39  
20  
Pulse Diode Forward Currenta  
Body Diode Voltage  
0.8  
10  
4
1.2  
15  
V
Body Diode Reverse Recovery Time  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Fall Time  
Reverse Recovery Rise Time  
ns  
nC  
Qrr  
ta  
6
IF = 2.0 A, di/dt = 100 A/µs, TJ = 25 °C  
6.6  
3.5  
ns  
tb  
Notes:  
a. Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.  
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation  
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
www.vishay.com  
2
Document Number: 70445  
S-71330-Rev. A, 02-Jul-07  
123456

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