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SI2316BDS-T1-E3

更新时间： 2024-01-13 09:18:42

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	108K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI2316BDS-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.83	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.9 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.66 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI2316BDS-T1-E3 数据手册

New Product

Si2316BDS

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

0.12

0.09

0.06

0.03

0.00

100

= 4.1 A

= 125 °C

= 150 °C

0.1

= 25 °C

0.01

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

- Gate-to-Source Voltage (V)

- Source-to-Drain Voltage (V)

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

Source-Drain Diode Forward Voltage

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

= 25 °C

Single Pulse

= 250 µA

- 50 - 25

100 125 150

0.01

0.1

100

600

Time (sec)

- Temperature ( C)

Threshold Voltage

Single Pulse Power

100

DS(on)

Limited

10 ms

100 ms

1 s

10 s

0.1

= 25 °C

Single Pulse

0.01

0.001

0.1

100

- Drain-to-Source Voltage (V)

minimum V at which r

is specified

DS(on)

Safe Operating Area

www.vishay.com

Document Number: 70445

S-71330-Rev. A, 02-Jul-07

1 2 345 6

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