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SI2312DS-E3

更新时间： 2024-11-21 18:37:47

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	40K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI2312DS-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.77 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI2312DS-E3 数据手册

Si2312DS

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.033 @ V = 4.5 V

4.9

4.4

3.9

0.040 @ V = 2.5 V

0.051 @ V = 1.8 V

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2312DS (C2)*

*Marking Code

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

T = 25_C

4.9

3.9

3.77

3.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

11.25

1.0

Continuous Source Current (Diode Conduction)

T = 25_C

1.25

0.80

0.75

0.48

Power Dissipation

T = 70_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

120

100

166

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature

Document Number: 71338

S-21090—Rev. C, 01-Jun-02

www.vishay.com

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与SI2312DS-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2312DS-T1	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2312DS-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI2312HE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312-TP	MCC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2314	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2314EDS	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2314EDS (KI2314EDS)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
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