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SI2315　

更新时间： 2024-10-31 17:15:35

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SOT-23

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SI2315　数据手册

SHENZHEN HAOCHANG SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SMD

SI2315

P-Channel Enhancement MOSFET

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

+0.1

-0.1

0.4

■Features

● VDS (V) =-12V

● ID =-3.85A (VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜50mΩ(VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜65mΩ(VGS =-2.5V)

● RDS(ON) ＜100mΩ(VGS =-1.8V)

+0.02

-0.02

+0.1

0.15

0.95

-0.1

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

■Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-12

Drain-Source Voltage

±8

Gate-Source Voltage

-3.85

-3.0

Continuous Drain Current

Ta = 25℃

Ta = 70℃

(TJ =150℃)

-2.45

-12

Pulsed Drain Current *1

Power Dissipation *1

IDM

1.19

0.76

0.75

0.48

Ta = 25℃

Ta = 70℃

105

166

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t≤5 sec

Steady State

thJA *1

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Foot

Junction Temperature

RthJF

150

-55 to 150

Storage Temperature Range

Tstg

*1Surface Mounted on FR4 board,t ≤ 5 sec.

浩畅半导体

RevK：M ay2014

www.szhaochang.cn

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