5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.00125 A | 最大漏源导通电阻： | 0.34 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2309DS-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似  |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00125A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| SI2309DS-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2309DS-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI2309DS-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00125A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| SI2310 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2310 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| SI2310 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| SI2310A | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2310A | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| SI2310AHE3 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2310B | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2310K | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
