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SI2311DS-E3 PDF预览

SI2311DS-E3

更新时间： 2024-11-20 19:50:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
TRANSISTOR 3000 mA, 8 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI2311DS-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2311DS-E3 数据手册

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Si2311DS  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.045 @ V = –4.5 V  
GS  
–3.5  
–2.8  
–2.0  
D Load Switch  
0.072 @ V = –2.5 V  
GS  
–8  
0.120 @ V = –1.8 V  
GS  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2311DS (C1)*  
*Marking Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 sec  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
–8  
DS  
V
V
GS  
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
–3.0  
–2.4  
–3.5  
–2.8  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
–10  
DM  
a, b  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–0.8  
0.96  
0.62  
–0.6  
0.71  
0.46  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a, b  
Maximum Power Dissipation)  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
100  
140  
60  
130  
175  
75  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 71813  
S-05831—Rev. A, 04-Mar-02  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI2311DS-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2311DS-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2311DS-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2312 HTSEMI

获取价格

 		20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI2312 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312　 HC

获取价格

 		SOT-23-3L
SI2312 HOTTECH

获取价格

 		SOT-23
SI2312A MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312A UMW

获取价格

 		漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:6A;栅极-源极阈值电
SI2312B MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2312BDS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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