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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.00125 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.34 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI2309DS-T1-E3 | VISHAY |
功能相似  |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI2309DS-T1 | VISHAY |
功能相似 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI2310 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2310 | HC |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2310 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2310A | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2310A | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| SI2310AHE3 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2310B | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| SI2310K | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
|
| SI2311 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| SI2311DS | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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