5秒后页面跳转
SI2310A PDF预览

SI2310A

更新时间: 2024-11-21 17:15:55
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
5页 522K
描述
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):3A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:80mΩ@10V

SI2310A 数据手册

 浏览型号SI2310A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI2310A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI2310A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI2310A的Datasheet PDF文件第5页 
R
UMW  
UMW SI2310A  
60V N-Channel MOSFET  
F
e
a
t
u
r
e
s
SOT23  
VDS (V)  
=60V  
ID  
=3A  
80m (VGS = 10V)  
95m (VGS = 4.5V)  
RDS(ON)  
RDS(ON)  
1. GATE  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
D
G
S
A
b
s
o
l
u
t
e
M
a
x
i
m
u
m
R
a
t
i
n
g
s
T
a
=
2
5
P
a
r
a
m
e
t
e
r
S
y
m
b
S
S
o
l
R
a
t
i
n
g
U
n
i
t
D
r
a
i
n
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
a
g
e
V
D
6
0
V
V
G
G
a
t
e
-
S
o
u
r
c
e
V
o
i
l
t
a
g
e
V
±
2
0
A
C
o
n
t
i
n
u
o
u
s
D
r
a
n
C
u
r
r
e
n
t
T
=
2
5
3
D
I
0
A
2
.
3
A
T
=
7
D
M
P
u
l
s
e
e
d
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
*
r
I
1
0
5
D
P
P
o
w
r
D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
T
A
=
2
1
.
.
3
8
W
L
i
n
e
a
r
D
e
r
a
t
i
n
g
F
a
c
t
o
0
0
1
W
/
/
t
h
J
a
T
h
e
r
m
a
l
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
.
J
u
n
c
t
i
o
n
-
t
o
-
a
m
b
i
e
n
t
R
9
0
W
J
T
S
T
G
J
u
n
c
t
i
o
n
a
n
d
S
t
o
r
a
g
e
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
e
R
a
n
g
e
,
T
-
5
5
t
o
1
5
0
e
*
2
.
P
u
l
s
e
w
i
d
t
h
3
0
0
u
s
,
d
u
t
y
c
y
c
l
2
%
.
www.umw-ic.com  
1
友台半导体有限公司  

与SI2310A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2310AHE3 MCC

获取价格

Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2310B MCC

获取价格

Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2310K MCC

获取价格

Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2311 HOTTECH

获取价格

SOT-23
SI2311DS VISHAY

获取价格

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2311DS-E3 VISHAY

获取价格

TRANSISTOR 3000 mA, 8 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET G
SI2311DS-T1-E3 VISHAY

获取价格

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2311DS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor,
SI2312 HTSEMI

获取价格

20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI2312 MCC

获取价格

Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;