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SI2309DS-T1-E3

更新时间： 2024-11-06 06:11:31

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	96K
描述
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI2309DS-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.25 A	最大漏极电流 (ID)：	0.00125 A
最大漏源导通电阻：	0.34 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI2309DS-T1-E3 数据手册

Si2309DS

Vishay Siliconix

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

0.340 at V_GS= - 10 V

0.550 at V_GS= - 4.5 V

I_D(A)

Pb-free

- 1.25

- 1

Available

- 60

RoHS*

COMPLIANT

TO-236

(SOT-23)

Top View

Si2309DS (A9)*

* Marking Code

Ordering Information: Si2309DS-T1

Si2309DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 60

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 1.25

- 0.85

- 8

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 5

1.25

Maximum Power Dissipation^{a, b}

P_D

0.8

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

100

166

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Lead^a

R_thJA

Steady State

130

°C/W

R_thJL

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t ≤ 5 s.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 70835

S-72216-Rev. C, 22-Oct-07

www.vishay.com

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与SI2309DS-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2309DS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00125A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
SI2310	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2310	HC	获取价格	SOT-23
SI2310	HOTTECH	获取价格	SOT-23
SI2310A	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2310A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
SI2310AHE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2310B	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2310K	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2311	HOTTECH	获取价格	SOT-23