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SI1426DH-E3

更新时间： 2024-09-14 21:05:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
TRANSISTOR 2800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SI1426DH-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1426DH-E3 数据手册

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Si1426DH  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
D Thermally Enhanced SC-70 Package  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D PWM Optimized  
APPLICATIONS  
0.075 @ V = 10 V  
3.6  
2.9  
GS  
30  
0.115 @ V = 4.5  
V
GS  
D Boost Converter in Portable Devices  
– Low Gate Charge (3 nC)  
D Low Current Synchronous Rectifier  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
D
D
G
1
6
D
D
S
Marking Code  
AC XX  
5
4
2
3
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
30  
DS  
V
"20  
GS  
T
= 25_C  
= 85_C  
2.8  
2.1  
3.6  
2.6  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
10  
DM  
a
Continuous Diode Current (Diode Conduction)  
I
1.3  
1.6  
0.8  
0.8  
1.0  
0.5  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
60  
100  
34  
80  
125  
45  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71805  
S-05803—Rev. A, 18-Feb-02  
www.vishay.com  
1
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与SI1426DH-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1426DH-T1-E3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 30V 2.8A 6-Pin SC-70 T/R
SI1426DH-T1-GE3 VISHAY

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 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI1427EDH VISHAY

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 		P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
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