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SI1441EDH-T1-GE3 PDF预览

SI1441EDH-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 20:10:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 242K
描述
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI1441EDH-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.11
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.041 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1441EDH-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si1441EDH  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)a  
- 4  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
Typical ESD Performance 1500 V  
0.041 at VGS = - 4.5 V  
0.054 at VGS = - 2.5 V  
0.100 at VGS = - 1.8 V  
•
•
•
•
- 20  
- 4  
12.5 nC  
100 % R Tested  
- 4  
g
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
• Load Switch for Portable Devices  
- Cellular Phone  
- DSC  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
- Portable Game Console  
- MP3  
- GPS  
D
D
G
1
2
3
6
D
D
S
5
4
Marking Code  
G
R
B Q X  
X X X  
Part # code  
Top View  
Lot Traceability  
and Date code  
D
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si1441EDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
10  
- 4a  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 4a, b, c  
- 4a, b, c  
- 25  
A
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
IDM  
IS  
- 2.3  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 1.3b, c  
2.8  
T
A = 25 °C  
C = 25 °C  
T
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.8  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
1.6b, c  
1.0b, c  
- 55 to 150  
260  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Typical  
60  
Maximum  
Unit  
t 5 s  
80  
45  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
RthJF  
34  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.  
Document Number: 66823  
S10-1827-Rev. A, 09-Aug-10  
www.vishay.com  
1
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