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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 142730 |
| Samacsys Pin Count： | 6 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | SOT23 (6-Pin) | Samacsys Footprint Name： | SC-70 6 LEADS |
| Samacsys Released Date： | 2015-04-16 09:48:08 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.066 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1470DH-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI1471DH | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1471DH-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1471DH-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI1472DH | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1472DH-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1472DH-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 4200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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| SI1473DH | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1473DH_08 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1473DH-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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