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SI1472DH-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 07:03:51

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威世 - VISHAY		/
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7页	113K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI1472DH-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.8 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI1472DH-T1-E3 数据手册

New Product

Si1472DH

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ)

100 % R_gand UIS Tested

5.6^a

4.7

0.057 at V_GS= 10 V

0.082 at V_GS= 4.5 V

RoHS

5.5

APPLICATIONS

COMPLIANT

•

Load Switch for Portable Devices

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

AL XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

Ordering Information: Si1472DH-T1-E3 (Lead (Pb-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

5.6

4.5

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

4.2^{b, c}

3.4^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.3

1.3^{b, c}

I_S

Continuous Source-Drain Diode Current

_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

2.8

1.8

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.5^{b, c}

1.0^{b, c}

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 sec

Steady

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 sec.

d. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W.

Document Number: 73891

S-71344–Rev. B, 09-Jul-07

www.vishay.com

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