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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.78 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1473DH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| Si1480BDH | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| Si1480DH | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SI1488DH | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1488DH-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI1489EDH | VISHAY |
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P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
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| SI1489EDH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI1499DH | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
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| SI1499DH_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
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| SI1499DH-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
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