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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI1471DH-T1-E3
SI1471DH-T1-E3 PDF预览

SI1471DH-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 07:03:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 110K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI1471DH-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：184086Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SC-70 6 LEADSSamacsys Released Date：2015-04-13 16:58:48
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1471DH-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si1471DH  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
I
D (A)c  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
Qg (Typ)  
0.100 at VGS = - 10 V  
0.120 at VGS = - 4.5 V  
0.175 at VGS = - 2.5 V  
- 1.6  
- 1.6  
- 1.6  
APPLICATIONS  
RoHS  
- 30  
6.5 nC  
COMPLIANT  
•
Load Switch for Portable Devices  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
S
D
D
G
1
2
3
6
D
D
S
Marking Code  
BN XX  
5
4
Lot Traceability  
and Date Code  
G
Part #  
Code  
Top View  
Ordering Information: Si1471DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
D
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
12  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
-1.6c  
- 1.6c  
- 1.6a, b, c  
- 1.6a, b, c  
- 6.5c  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Currenta, b  
- 1.6c  
- 1.6a, b, c  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
2.78  
1.78  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
2.5a, b  
TA = 25 °C  
1a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, d  
RthJA  
t ≤ 5 sec  
60  
34  
80  
45  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 sec.  
c. Package limited.  
d. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W.  
Document Number: 74468  
S-70942-Rev. A, 14-May-07  
www.vishay.com  
1
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SI1471DH-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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