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SI1426DH-T1-GE3

更新时间： 2024-09-14 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 243K
描述
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI1426DH-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1426DH-T1-GE3 数据手册

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Si1426DH  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
3.6  
Definition  
0.075 at VGS = 10 V  
0.115 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Thermally Enhanced SC-70 Package  
PWM Optimized  
30  
2.9  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Boost Converter in Portable Devices  
- Low Gate Charge (3 nC)  
•
Low Current Synchronous Rectifier  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
D
D
G
1
6
D
D
S
Marking Code  
5
4
2
3
AC XX  
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
Top View  
Ordering Information: Si1426DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1426DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
10  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
A = 85 °C  
3.6  
2.6  
2.8  
2.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Diode Current (Diode Conduction)a  
1.3  
1.6  
0.8  
0.8  
1.0  
0.5  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
60  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 s  
80  
125  
45  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
100  
34  
°C/W  
RthJF  
Note:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71805  
S10-0935-Rev. B, 19-Apr-10  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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SI1426DH-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1426DH-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Trans MOSFET N-CH 30V 2.8A 6-Pin SC-70 T/R
SI1410EDH-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 6-Pin SC-70 T/R
FDG327NZ FAIRCHILD

功能相似

 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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