5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI1458DH-T1-E3
SI1458DH-T1-E3 PDF预览

SI1458DH-T1-E3

更新时间： 2024-09-14 18:54:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 89K
描述
TRANSISTOR 4100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI1458DH-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：4.1 A
最大漏源导通电阻：0.058 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1458DH-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI1458DH-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI1458DH-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI1458DH-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI1458DH-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI1458DH-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI1458DH-T1-E3的Datasheet PDF文件第7页 
New Product  
Si1458DH  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ)  
100 % Rg and UIS Tested  
4.1a  
3.0  
0.058 at VGS = 4.5 V  
0.082 at VGS = 2.5 V  
RoHS  
20  
4.85  
APPLICATIONS  
Load Switch  
COMPLIANT  
•
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
D
D
D
G
1
2
3
6
5
D
D
S
Marking Code  
AJ XX  
G
Lot Traceability  
and Date Code  
4
Part # Code  
S
Top View  
Ordering Information: Si1458DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
5.48  
4.38  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
4.1b, c  
3.3b, c  
12  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
2.3  
1.3b, c  
2.8  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
1.8  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.5b, c  
1.0b, c  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 sec  
60  
34  
80  
45  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 sec.  
d. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W.  
Document Number: 74276  
S-70916–Rev. B, 07-May-07  
www.vishay.com  
1
1234567

中文翻译

下载PDF

与SI1458DH-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1467DH VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1467DH-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1467DH-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI1469DH VISHAY

获取价格

 		P-Channel 12-V (G-S) MOSFET
SI1469DH_08 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (G-S) MOSFET
SI1469DH-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (G-S) MOSFET
SI1470DH VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1470DH_10 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI1470DH-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1470DH-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

与SI1458DH-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证