Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI1469DH-T1-E3

SI1469DH-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 06:11:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
7页	109K
描述
P-Channel 20-V (G-S) MOSFET

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SI1469DH-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.76
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	303433	Samacsys Pin Count：	6
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SC-70 6-LEADS	Samacsys Released Date：	2016-04-06 02:32:14
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A
最大漏极电流 (ID)：	3.2 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.78 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI1469DH-T1-E3 数据手册

Si1469DH

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 20-V (G-S) MOSFET

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFET

_D(A)^c

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ)

0.080 at V_GS= - 10 V

0.100 at V_GS= - 4.5 V

0.155 at V_GS= - 2.5 V

- 1.6

APPLICATIONS

RoHS

- 20

5.5 nC

COMPLIANT

•

Load Switch for Portable Devices

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

Marking Code

BL XX

Lot Traceability

and Date Code

Part #

Code

Top View

Ordering Information: Si1469DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

-1.6^c

- 1.6^c

- 1.6^{a, b, c}

- 6.5^c

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)

Continuous Source-Drain Diode Current^{a, b}

- 1.6^c

- 1.6^{a, b, c}

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

2.78

1.78

Maximum Power Dissipation^{a, b}

P_D

2.5^{a, b}

T_A= 25 °C

1^{a, b}

- 55 to 150

260

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{c, d}

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{a, d}

R_thJA

t ≤ 5 sec

°C/W

R_thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. t = 5 sec.

c. Package limited.

d. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W.

Document Number: 74441

S-70195-Rev. A, 29-Jan-07

www.vishay.com

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