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SI1467DH-T1-GE3

更新时间： 2024-09-14 20:59:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 248K
描述
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI1467DH-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.78 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI1467DH-T1-GE3 数据手册

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Si1467DH  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)c  
Definition  
0.090 at VGS = - 4.5 V  
0.115 at VGS = - 2.5 V  
0.150 at VGS = - 1.8 V  
- 2.7  
- 2.7  
- 2.7  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
- 20  
9.0 nC  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
•
Load Switch for Portable Devices  
D
D
G
1
2
3
6
D
D
S
Marking Code  
S
AN XX  
5
4
Lot Traceability  
and Date Code  
G
Part #  
Code  
Top View  
Ordering Information: Si1467DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
D
Si1467DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
8
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
- 2.7c  
- 2.7c  
- 3.0a, b  
- 2.4a, b  
- 8  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Currenta, b  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
- 2.3  
- 1.25a, b, c  
2.78  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
1.78  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
1.5a, b  
T
1a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, d  
RthJA  
t ≤ 5 s  
60  
34  
80  
45  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Package limited.  
d. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W.  
Document Number: 68663  
S10-0646-Rev. C, 22-Mar-10  
www.vishay.com  
1
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