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SI1443EDH-T1-GE3

更新时间： 2024-09-14 20:56:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 270K
描述
Si1443EDH P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SI1443EDH-T1-GE3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.054 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1443EDH-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si1443EDH  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
TrenchFET® Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
- 4a  
- 4a  
Qg (Typ.)  
Typical ESD Performance 1500 V HBM  
100 % R Tested  
0.054 at VGS = - 10 V  
0.062 at VGS = - 4.5 V  
0.085 at VGS = - 2.5 V  
g
Material categorization:  
- 30  
8.6 nC  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
- 3.4  
APPLICATIONS  
•
Load Switch for Portable Devices  
- Cellular Phone  
- DSC  
SOT -363  
SC-70 (6-LEADS)  
- Portable Game Console  
- MP3  
- GPS  
D
1
2
3
6
5
D
D
S
•
Soft Turn-on Load Switch  
S
D
G
Marking Code  
4
BT  
X
G
Lot Traceability  
and Date Code  
R
Top View  
Ordering Information:  
Si1443EDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Part # Code  
D
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
- 4a  
T
C = 25 °C  
- 4a  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 4a, b, c  
- 3.4b, c  
- 15  
A
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
IDM  
IS  
- 2.3  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 1.3b, c  
2.8  
T
A = 25 °C  
C = 25 °C  
T
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.8  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
1.6b, c  
1b, c  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Typical  
60  
Maximum  
Unit  
t 5 s  
80  
45  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
RthJF  
34  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.  
Document Number: 67849  
S12-0980-Rev. B, 30-Apr-12  
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
www.vishay.com  
1
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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