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SI1426DH

更新时间： 2024-09-13 21:54:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI1426DH 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.89Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI1426DH 数据手册

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Si1426DH  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
D Thermally Enhanced SC-70 Package  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D PWM Optimized  
APPLICATIONS  
0.075 @ V = 10 V  
3.6  
2.9  
GS  
30  
0.115 @ V = 4.5  
V
GS  
D Boost Converter in Portable Devices  
– Low Gate Charge (3 nC)  
D Low Current Synchronous Rectifier  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
D
D
G
1
6
D
D
S
Marking Code  
AC XX  
5
4
2
3
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
30  
DS  
V
"20  
GS  
T
= 25_C  
= 85_C  
2.8  
2.1  
3.6  
2.6  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
10  
DM  
a
Continuous Diode Current (Diode Conduction)  
I
1.3  
1.6  
0.8  
0.8  
1.0  
0.5  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
60  
100  
34  
80  
125  
45  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71805  
S-05803—Rev. A, 18-Feb-02  
www.vishay.com  
1
1234

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SI1426DH 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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